Maxim MAX17270开发板，创新SIMO和Nanopower电源技术，助您轻松实现低功耗和小尺寸的最佳平衡。【立即试用】
在OUT端为高电平期间，A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降。这会使得B点电位下降，N4的导通性下降。同时由于同样的原因，OUT端电位也会有所下降，使输出高电平不能保持在VDD。为了防止这种现象的出现，又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管，用来补充OUT端CL的泄漏电荷，维持OUT端在整个导通周期内为高电平。
tem输出结构设计，上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容，Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电为自举升压电。
本驱动电的设计思想是，利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以输出低电平位GND。因此无需增加自举电也能达到设计要求。
开关管驱动，负载电容CL很大，一般能达到几十皮法，还需要进一步增加输出电流能力，因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管。这样在输入端由高电平变为低电平时，Q1导通，由N4、Q1同时提供电流，OUT端电位迅速上升，当OUT端电位上升到VDD-VBE时，Q1截止，N4继续提供电流对负载电容充电，直到OUT端电压达到VDD。
在OUT端为高电平期间，A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降。这会使得B点电位下降，N4的导通性下降。同时由于同样的原因，OUT端电位也会有所下降，使输出高电平不能保持在VDD。为了防止这种现象的出现，又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管，用来补充OUT端CL的泄漏电荷，维持OUT端在整个导通周期内为高电平。
驱动电的传输特性瞬态响应在图4中给出。其中（a）为上升沿瞬态响应，（b）为下降沿瞬态响应。从图4中可以看出，驱动电上升沿明显分为了三个部分，分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期。1阶段为Q1、N4共同作用，输出电压迅速抬升，2阶段为N4起主导作，使输出电平达到VDD，3阶段为P5起主导作用，维持输出高电平为VDD。而且还可以缩短上升时间，下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求。
氧化物品体管逻辑IC）、TTL（晶体管逻辑）集成电、常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动VMOS。这种驱动方式普通适用于驱动信号的产生及控制电与VMOS构成的功率级电共地的状况。
开输出”，当然，输出级也有采用MOSFET的，这就是“开漏输出”。上述开输出方式需求外部电配置偏置电阻，以树立工作点，限定输梦见老虎咬人出电流。
继电器或功率晶体管驱动，也可利用可控硅或功率型MOS场效应管驱动。为了适应不同的控制要求（如电机的工作电流、电压，电机的调速，直流电机的正反转控制等），下面介绍几种电机驱动电，以满足以上要求：
二极管D1、D2的加入具有重要的作用，它使达林顿管BG2，BG3不会产生失控，这在大功率下运转时更显安全。本电的另一特点是输入控制逻辑电平的高低与电机的直流工 作电压无关，用TTL标准电平就能可靠地控制。
发电机运转;其二控制端A、B具有触发锁定功能;其三具有多种，如D1、D2的触发锁定，D3—D6的功率管集电极等。因此本电只有三种输入状态有效，电机仍有五种工作状态。D1 ，D2的作用是：若A为低电平时，BG1、BG2、BG5导通，BG2集电极的髙电平将通过D2B端的输入，BG6截止，若本电采用TTL电触发，必须选用集电极开门电。
用集成电驱动电机的情况也较多，和一般的三端稳压器直接驱动不同，图8电使电机可以获得从0V至7V的驱动电压，因而具有低压调速性能，IC1为 正输出的固定稳压器，IC2为可调负输出的四端稳压器，调节R1可以使电机获得零电压，由于IC2的散热片内部与输入端相连，因此IC1， IC2可用公共散热器，以适应低压工作。
电桥臂上得到，若RP2用于信号的检测，电机对RP1进行反馈调节，则可实现误差比例控制，这里LM378可提供最大达1A的驱动电流，本电在伺服系统中具有广泛的应用。