巫毒僵尸接收到一个脉冲信号，它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度（称为“步距角”），它的旋转是以固定的角度一步一步运行的。可以通过控制脉冲个数来控制角位移量，从而达到准确定位的目的；同时可以通过控制脉冲频率来控制电机转动的速度和加速度，从而达到调速和定位的目的。
而步进电机控制器是采用电脉冲的执行机构，其产生的电脉冲的时序和数量需要由步进电机的控制功能决定，应该是用户可设置的。
所有步进电机的控制器的主要功能是，电脉冲信号的产生，电脉冲信号的时序和数量的控制，而且应该提供接口供用户设置。
电脉冲的产生不是由振荡电产生，而应该是由MCU的PWM功能产生，通过设置PWM模块的寄储器，让MCU产生满足频率和占空比要求的信号，并经过晶体管放大，接入步进电机驱动器，并最终控制步进电机产生角位移。
MCU除了控制PWM的频率和占空比，还需要在PWM的时钟中断中，对每一个脉冲进行计数，确保准确输出用户设定的步数。
综上，步进电机控制器电比较简单，有一个还PWM功能的MCU的最小系统（电源+芯片+晶振+复位），在PWM的输出口通过晶体管将控制信号放大并隔离。。。
主要的工作在于软件设计，MCU的资源使用，程序的调度，特别是主程序和中断程序的调试都常技术水平的。
电流小于3A可以使用l298N（l298N的原理图我这没有，你自己百度搜把），电流小于43A可以使用BTS7960（这个芯片我用过，主要用于大电流直流电机驱动，挺贵的但是性能很好，学生不使用）
上图是使用Q1、Q2、Q3、Q4四个三极管组成的H桥，通过控制三极管的通断实现不同的电流方向，从而达到电机正反转。当IN1=1，IN2=0时，电机正转；当IN1=0，IN2=1时，电机反转。
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此标准固态显示器具有7.4毫米（0.29英寸）点阵字符和板载IC，带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器，采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0783显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点，通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度
此标准固态显示器具有7.4毫米（0.29英寸）点阵字符和板载IC，带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器，采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0883显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点，通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度
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信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用，如打印锤，继电器，电磁阀和灯驱动器。该器件采用TO-92封装，专为中等功率应用而设计。 可提供无铅封装 电图、引脚图和封装图
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信息 BU323Z是一款平面，单片，高压功率达林顿，内置有源齐纳钳位电。该器件专为非钳位电用而设计，如电子点火，开关稳压器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧钳位电压窗口（350 V至450 V） ）在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电中100％测试夹紧能量能力 在全温度下指定的高直流电流增益/低饱和电压范围 设计始终在SOA中运行 提供塑料SOT-93 / TO-218型或TO-220封装 这些设备可用无铅封装。此处的规格适用于标准和无铅器件。有关具体的无铅可订购部件号，请访问我们的网站，或联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表。...
信息该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。 0.22 A, 50 V. R = 3.5 Ω @ V = 10 V. R = 6.0 Ω @ V = 4.5 V 高密度单元设计可实现极低的 R。 坚固而可靠。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。...
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信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用，如打印锤，继电器，电磁阀和灯驱动器。该器件采用SOT-223封装，专为中等功率表面贴装应用而设计。 SOT-223封装可使用波峰焊或回流焊进行焊接。形成的引线吸收焊接过程中的热应力，消除模具损坏的可能性 12 mm卷带和卷盘使用BSP52T1订购7英寸/ 1000单元卷轴使用BSP52T3订购13英寸/ 4000单位卷轴 PNP补充是BSP62T1 无铅封装可用 用于汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电图、引脚图和封装图...
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信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证（文件编号E90700，卷2） VDE认证（文件编号102497）– 添加选项V（例如，4N25VM）
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信息 50A02CH是双极晶体管，-50V，-0.5A，低VCE（sat），PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压（电阻）： RCE（sat）typ =210mΩ[IC = 0.5A，IB = 50mA] 低导通电阻（Ron） 无铅，无卤素且符合RoHS标准